文献
J-GLOBAL ID:201702273529705124
整理番号:17A0994364
Al_2O_3/WO_xベースCBRAM素子の性能に及ぼすタングステン酸化条件の影響【Powered by NICT】
Impact of tungsten oxidation conditions on the performance of Al2O3/WOx-based CBRAM devices
著者 (9件):
Chen Z.
(IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Chen Z.
(Institute of Microelectronics, Peking University, 100871 Beijing, China)
,
Belmonte A.
(IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Chen C.Y.
(IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Radhakrishnan J.
(IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Redolfi A.
(IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Kang J.
(Institute of Microelectronics, Peking University, 100871 Beijing, China)
,
Goux L.
(IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Kar G.S.
(IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
179
ページ:
56-59
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)