文献
J-GLOBAL ID:201702273565068577
整理番号:17A1651335
ナノ結晶グラファイト(NCG)/p型シリコンSchottkyダイオードパラメータの異なる抽出技術の研究【Powered by NICT】
A study of different extraction techniques of nanocrystalline graphite (NCG)/p-type silicon schottky diode parameters
著者 (6件):
Nawawi A.A.
(Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia (UTM), 81310 Skudai, Malaysia)
,
Sultan S.M.
(Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia (UTM), 81310 Skudai, Malaysia)
,
Rahman S.F.A.
(Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia (UTM), 81310 Skudai, Malaysia)
,
Pu S.H.
(University of Southampton Malaysia Campus, Nusajaya 79200, Johor, Malaysia)
,
McBride J.W.
(University of Southampton Malaysia Campus, Nusajaya 79200, Johor, Malaysia)
,
Wah L. H.
(MIMOS Berhad, Technology Park Malaysia, Kuala Lumpur 57000, Malaysia)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
RSM
ページ:
119-122
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)