文献
J-GLOBAL ID:201702273643114556
整理番号:17A0826056
Millerプラットフォーム電圧に基づく電力MOSFETのゲート酸化膜劣化のオンライン状態監視【Powered by NICT】
Online Condition Monitoring of Power MOSFET Gate Oxide Degradation Based on Miller Platform Voltage
著者 (5件):
Ye Xuerong
(School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Chen Cen
(School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Wang Yixing
(School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Zhai Guofu
(School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Vachtsevanos George J.
(Georgia Institute of Technology, Atlanta GA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻:
32
号:
6
ページ:
4776-4784
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0211B
ISSN:
0885-8993
CODEN:
ITPEE8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)