文献
J-GLOBAL ID:201702273679837600
整理番号:17A1967768
EモードGaN MOS-HEMTのドレイン電流LFNとそのモデル開発に及ぼすトラップ密度の影響【Powered by NICT】
Effects of trap density on drain current LFN and its model development for E-mode GaN MOS-HEMT
著者 (2件):
Panda D.K.
(Microelectronics and VLSI Design Group, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Assam, 788010, India)
,
Lenka T.R.
(Microelectronics and VLSI Design Group, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Assam, 788010, India)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
112
ページ:
374-382
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)