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文献
J-GLOBAL ID：201702273783023916
整理番号：17A1778350
絶縁体素子CMOS上の完全空乏化シリコン:28nmノードアナログ,RF,ミリ波,および混合信号システムオンチップ集積化のための完全な技術である【Powered by NICT】
Fully Depleted Silicon on Insulator Devices CMOS: The 28-nm Node Is the Perfect Technology for Analog, RF, mmW, and Mixed-Signal System-on-Chip Integration
Cathelin Andreia
(STMicroelectronics, Croelles, France)
資料名：
IEEE Solid-State Circuits Magazine
(IEEE Solid-State Circuits Magazine)
巻： 9 号： 4 ページ： 18-26 発行年： 2017年
JST資料番号： W2270A ISSN： 1943-0582 CODEN： SCMOCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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