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文献
J-GLOBAL ID：201702273830330851
整理番号：17A0026007
様々なDUV照射エネルギーに曝されたセルフアラインコプレーナートップゲートIn-Ga-ZnO薄膜トランジスタ
Self-Aligned Coplanar Top Gate In-Ga-ZnO Thin-Film Transistors Exposed to Various DUV Irradiation Energies
Ryu Seung-Man
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
,
Kim Myoeng-Ho
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
,
Jeon Sung-Ho
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
,
Lim Jun-Hyung
(Department of Display Research and Development Center, Samsung Display, Yongin, South Korea)
,
Choi Duck-Kyun
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 8 ページ： 3123-3127 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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