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文献
J-GLOBAL ID：201702273897623606
整理番号：17A0085664
極薄バリアAlGaN/GaNヘテロ構造上に製作した均一性の高いノーマリーオフのGaN MIS-HEMT
High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure
Huang Sen
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liu Xinyu
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Xinhua
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Kang Xuanwu
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhang Jinhan
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Bao Qilong
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wei Ke
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zheng Yingkui
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhao Chao
(Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Gao Hongwei
(Chinese Academy of Sciences, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Suzhou, China)
,
Sun Qian
(Chinese Academy of Sciences, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Suzhou, China)
,
Zhang Zhaofu
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Chen Kevin J.
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 37 号： 12 ページ： 1617-1620 発行年： 2016年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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