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文献
J-GLOBAL ID：201702273935988613
整理番号：17A0165406
希土類ガドリニウムをドープしたアルミニウム-亜鉛酸化物薄膜の半導体特性【Powered by NICT】
Semiconductor performance of rare earth gadolinium-doped aluminum-zinc oxide thin film
Dong Junchen
(Shenzhen Graduate School, Peking University)
,
Han Dedong
(Institute of Microelectronics, Peking University)
,
Zhao Feilong
(Shenzhen Graduate School, Peking University)
,
Zhao Nannan
(Shenzhen Graduate School, Peking University)
,
Wu Jing
(Shenzhen Graduate School, Peking University)
,
Kang Jinfeng
(Institute of Microelectronics, Peking University)
,
Wang Yi
(Institute of Microelectronics, Peking University)
資料名：
Rare Metals
(Rare Metals)
巻： 35 号： 9 ページ： 672-675 発行年： 2016年
JST資料番号： C2573A ISSN： 1001-0521 CODEN： RARME8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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