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文献
J-GLOBAL ID：201702273957610970
整理番号：17A0775998
AlGaN/GaNH EMTにおけるゲート金属析出関連雑音性能前アニーリング【Powered by NICT】
Annealing before gate metal deposition related noise performance in AlGaN/GaN HEMTs
Pang Lei
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Pu Yan
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Xinyu
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Liang
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Li Chengzhan
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Jian
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Zheng Yingkui
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Wei Ke
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 30 号： 5 ページ： 28-31 発行年： 2009年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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