文献
J-GLOBAL ID:201702274035599577
整理番号:17A0323191
アルキルシリル前駆体を用いたSeドープしたSb-Te相変化薄膜の原子層堆積の研究【Powered by NICT】
Investigation on the atomic layer deposition of the Se doped Sb-Te phase change films using an alkyl-silyl precursor
著者 (2件):
Jeong Jin Hwan
(Department of Material Science and Engineering, Yonsei University, 262 Seong Sanno, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Republic of Korea)
,
Choi Doo Jin
(Department of Material Science and Engineering, Yonsei University, 262 Seong Sanno, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Republic of Korea)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
54
ページ:
42-50
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)