文献
J-GLOBAL ID:201702274188696978
整理番号:17A0330986
RFマグネトロンスパッタリングによって堆積したAl2O3挿入CeO2薄膜の電気的性質
ELECTRICAL PROPERTIES OF Al2O3 INCORPOLATED CeO2 THIN FILMS DEPOSITED BY RF MAGNETRON SPUTTERING
著者 (7件):
GOTO T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
KONISHI J.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
GYOUGYOKU Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
TAMURA T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
SUZUKI S.
(Comet Inc., Ibaraki, JPN)
,
ISHIBASHI K.
(Comet Inc., Ibaraki, JPN)
,
YAMAMOTO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号:
35
ページ:
31-36
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
L0263A
ISSN:
0914-2908
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)