文献
J-GLOBAL ID:201702274189973943
整理番号:17A1603969
半極性(11<span style=text-decoration:overline>2</span>2)GaNにおける貫通欠陥のブロッキングのためのin situでのサイト特異的ガリウム充填とナノ粒子成長
In Situ Site-Specific Gallium Filling and Nanograin Growth for Blocking of Threading Defects in Semipolar (11<span style=text-decoration:overline>2</span>2) GaN
著者 (16件):
WU Zhengyuan
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
WU Zhengyuan
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
SONG Pengyu
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
SONG Pengyu
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
SHIH Tienmo
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
SHIH Tienmo
(CKX Lab., Changkeng, CHN)
,
PANG Linna
(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)
,
CHEN Li
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
LIN Guangyang
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
LIN Dingqu
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
LI Cheng
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
LIU Ran
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
SHEN Wenzhong
(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)
,
KANG Junyong
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
FANG Zhilai
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
FANG Zhilai
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名:
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻:
17
号:
9
ページ:
4687-4693
発行年:
2017年09月
JST資料番号:
W1323A
ISSN:
1528-7483
CODEN:
CGDEFU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)