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文献
J-GLOBAL ID：201702274194045490
整理番号：17A0047737
FinFET技術のためのサブ10-9Ω-cm2n型接触抵抗率
Sub- $10^{-9}¥Omega $ -cm2 n-Type Contact Resistivity for FinFET Technology
Niimi Hiroaki
(GLOBALFOUNDRIES Inc., Albany, NY, USA)
,
Liu Zuoguang
(IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
,
Gluschenkov Oleg
(IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
,
Mochizuki Shogo
(IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
,
Fronheiser Jody
(GLOBALFOUNDRIES Inc., Albany, NY, USA)
,
Li Juntao
(IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
,
Demarest James
(IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
,
Zhang Chen
(IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
,
Liu Bei
(GLOBALFOUNDRIES Inc., Albany, NY, USA)
,
Yang Jie
(IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
,
Raymond Mark
(GLOBALFOUNDRIES Inc., Albany, NY, USA)
,
Haran Bala
(IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
,
Bu Huiming
(IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
,
Yamashita Tenko
(IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 37 号： 11 ページ： 1371-1374 発行年： 2016年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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