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文献
J-GLOBAL ID：201702274294209892
整理番号：17A1425114
希金属をドープした金属-酸化物-半導体に基づく水素センサ:レビュー【Powered by NICT】
Hydrogen sensors based on noble metal doped metal-oxide semiconductor: A review
Luo Yifan
(College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China)
,
Zhang Chao
(College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China)
,
Zheng Bingbing
(College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China)
,
Geng Xin
(College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China)
,
Debliquy Marc
(Service de Science des Materiaux, Faculte Polytechnique, Universite de Mons, Mons 7000, Belgium)
資料名：
International Journal of Hydrogen Energy
(International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 42 号： 31 ページ： 20386-20397 発行年： 2017年
JST資料番号： B0192B ISSN： 0360-3199 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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