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文献
J-GLOBAL ID：201702274312078024
整理番号：17A1359765
55nm DDC技術を用いた探索とメモリ計算のための0.3V VDDmin4 2T SRAM【Powered by NICT】
A 0.3V VDDmin 4+2T SRAM for searching and in-memory computing using 55nm DDC technology
Dong Qing
(University of Michigan, Ann Arbor)
,
Jeloka Supreet
(University of Michigan, Ann Arbor)
,
Saligane Mehdi
(University of Michigan, Ann Arbor)
,
Kim Yejoong
(University of Michigan, Ann Arbor)
,
Kawaminami Masaru
(Fujitsu Semiconductor America, Inc.)
,
Harada Akihiko
(Fujitsu Semiconductor America, Inc.)
,
Miyoshi Satoru
(Fujitsu Semiconductor America, Inc.)
,
Blaauw David
(University of Michigan, Ann Arbor)
,
Sylvester Dennis
(University of Michigan, Ann Arbor)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： VLSI Circuits ページ： C160-C161 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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