文献
J-GLOBAL ID:201702274341413893
整理番号:17A1646277
SiGeデバイスにおけるドーパントの拡散と偏析,Si-Ge相互拡散と欠陥工学【Powered by NICT】
Dopant diffusion and segregation, Si-Ge interdiffusion and defect engineering in SiGe devices
著者 (1件):
Xia Guangrui
(Department of Materials Engineering, University of British Columbia, Vancouver, Canada)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ESSDERC
ページ:
280-283
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)