文献
J-GLOBAL ID:201702274412167033
整理番号:17A0325958
個々のPbSミクロ/ナノワイヤにおけるバルクトラップによる巨大圧抵抗効果による書き換え可能な不揮発性ストレス情報記憶【Powered by NICT】
Rewritable non-volatile stress information memory by bulk trap-induced giant piezoresistance effect in individual PbS micro/nanowires
著者 (7件):
Shi Haiping
(School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, 999 Xuefu Avenue, Nanchang, 330031, China. bcheng@vip.sina.com)
,
Zheng Jianping
,
Cheng Baochang
,
Zhao Jie
,
Su Xiaohui
,
Xiao Yanhe
,
Lei Shuijin
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
1
ページ:
229-237
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)