文献
J-GLOBAL ID:201702274483749414
整理番号:17A0548866
PERCセルの局所的なAl接点の改良:Si含有量からなるAlペーストを用いたボイド形成の抑制,およびそれはセル性能に影響する
Improving the local Al-contacts for PERC cells: void formation suppression using Al paste consisting of Si content, and it impacts on cell performance
著者 (6件):
JOONWICHIEN Supawan
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
,
SHIRASAWA Katsuhiko
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
,
KIDA Yasuhiro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
,
UTSUNOMIYA Satoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
,
MORIYA Masaaki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
,
TAKATO Hidetaka
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻:
64th
ページ:
ROMBUNNO.15p-211-17
発行年:
2017年03月01日
JST資料番号:
Y0054B
ISSN:
2436-7613
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)