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文献
J-GLOBAL ID：201702274607979001
整理番号：17A0705500
絶縁体厚さの最適化とAgナノワイヤの表面プラズモンを導入することによるp GaN/i Al-2O_3/n-ZnOヘテロ接合LEDからの増強された近紫外エレクトロルミネセンス【Powered by NICT】
Enhanced near-UV electroluminescence from p-GaN/i-Al2O3/n-ZnO heterojunction LEDs by optimizing the insulator thickness and introducing surface plasmons of Ag nanowires
Yang Liu
(Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun 130024, China. wzliu@nenu.edu.cn hyxu@nenu.edu.cn)
,
Liu Weizhen
,
Xu Haiyang
,
Ma Jiangang
,
Zhang Cen
,
Liu Chunyang
,
Wang Zhongqiang
,
Liu Yichun
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5 号： 13 ページ： 3288-3295 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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