前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702274840783110
整理番号：17A0405516
原子層堆積により作製したV_2O_5陰極における電荷速度依存性応力と構造変化のin situ特性化【Powered by NICT】
In situ characterization of charge rate dependent stress and structure changes in V2O5 cathode prepared by atomic layer deposition
Jung Hyun
(MEMS Sensors and Actuators Laboratory (MSAL), University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
,
Jung Hyun
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
,
Jung Hyun
(Institute for Systems Research, University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
,
Gerasopoulos Konstantinos
(MEMS Sensors and Actuators Laboratory (MSAL), University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
,
Gerasopoulos Konstantinos
(Institute for Systems Research, University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
,
Talin A. Alec
(Sandia National Laboratories, Livermore, CA 94551, USA)
,
Ghodssi Reza
(MEMS Sensors and Actuators Laboratory (MSAL), University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
,
Ghodssi Reza
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
,
Ghodssi Reza
(Institute for Systems Research, University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
資料名：
Journal of Power Sources
(Journal of Power Sources)
巻： 340 ページ： 89-97 発行年： 2017年
JST資料番号： B0703B ISSN： 0378-7753 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。