文献
J-GLOBAL ID:201702274925216090
整理番号:17A1244775
基板転写技術によるAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおける効率的熱散逸【Powered by NICT】
Efficient heat dissipation in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technique
著者 (3件):
Hiroki Masanobu
(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Japan)
,
Kumakura Kazuhide
(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Japan)
,
Yamamoto Hideki
(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Japan)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
214
号:
8
ページ:
null
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)