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文献
J-GLOBAL ID：201702274951406540
整理番号：17A1170527
高純度N極性(In,Ga)N膜の成長【Powered by NICT】
Growth of high purity N-polar (In,Ga)N films
Lund Cory
(Electrical & Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Nakamura Shuji
(Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
DenBaars Steven P.
(Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Mishra Umesh K.
(Electrical & Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)
,
Keller Stacia
(Electrical & Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 464 ページ： 127-131 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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