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文献
J-GLOBAL ID：201702274964752357
整理番号：17A1444963
すべて層状2次元オプトエレクトロニクス:Bi_2Te_3トポロジカル絶縁体電極を用いた高性能UV-vis-NIR広帯域SnSe光検出器【Powered by NICT】
All-Layered 2D Optoelectronics: A High-Performance UV-vis-NIR Broadband SnSe Photodetector with Bi2Te3 Topological Insulator Electrodes
Yao Jiandong
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Nanotechnology Research Center, School of Materials Science and Engineering, School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong, 510275, P. R. China)
,
Zheng Zhaoqiang
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Nanotechnology Research Center, School of Materials Science and Engineering, School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong, 510275, P. R. China)
,
Yang Guowei
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Nanotechnology Research Center, School of Materials Science and Engineering, School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong, 510275, P. R. China)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 27 号： 33 ページ： ROMBUNNO.201701823 発行年： 2017年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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