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文献
J-GLOBAL ID：201702275072172779
整理番号：17A1391408
デュアルゲート構造を用いたゲートリセス型AlGaN/GaNトランジスタのサブしきい値特性の改善【Powered by NICT】
Improvement of Subthreshold Characteristic of Gate-Recessed AlGaN/GaN Transistors by Using Dual-Gate Structure
Yang Ling
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Mi Minhan
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Hou Bin
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhu Jiejie
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhang Meng
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
He Yunlong
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Lu Yang
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhu Qing
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhou Xiaowei
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Lv Ling
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Cao Yanrong
(School of Mechano-Electronic Engineering, Xidian University, Xi’an, China)
,
Ma Xiaohua
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Hao Yue
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 10 ページ： 4057-4064 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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