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文献
J-GLOBAL ID：201702275089293296
整理番号：17A0502683
SiO2へのイオン注入により作製したゲルマニウムナノ結晶の微細構造に及ぼすGe濃度の影響
Effect of Ge Concentration on the Microstructure of Germanium Nanocrystals Produced by Ion Implantation in SiO2
GE L. H.
(Qingdao Univ., Qingdao, CHN)
,
WANG C.
(Qingdao Univ., Qingdao, CHN)
,
CAI R. S.
(Qingdao Univ., Qingdao, CHN)
,
LIANG W. S.
(Qingdao Univ., Qingdao, CHN)
,
WANG Y. Q.
(Qingdao Univ., Qingdao, CHN)
,
ROSS G. G.
(INRS-Energie, Materiaux et Telecommunications, 1Quebec, CAN)
,
BARBA D.
(INRS-Energie, Materiaux et Telecommunications, 1Quebec, CAN)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17 号： 3 ページ： 2196-2200 発行年： 2017年03月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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