文献
J-GLOBAL ID:201702275193566768
整理番号:17A1786588
化学蒸着によって調製されたミリメートルの単結晶グラフェンの成長条件の制御に関する研究を行った。【JST・京大機械翻訳】
Controlling the growth conditions to prepare millimeter size single crystal graphene by chemical vapor deposition
著者 (4件):
Zhou Guoqing
(中国科学院大学,北京100049;中国科学院強磁場科学中心,合肥230031)
,
Hu Lin
(中国科学院強磁場科学中心,合肥,230031)
,
Wei Lingzhi
(中国科学院強磁場科学中心,合肥,230031)
,
Zhang Fapei
(中国科学院強磁場科学中心,合肥,230031)
資料名:
Gongneng Cailiao
(Gongneng Cailiao)
巻:
48
号:
4
ページ:
4110-4115
発行年:
2017年
JST資料番号:
C2095A
ISSN:
1001-9731
CODEN:
GOCAEA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
中国語 (ZH)