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文献
J-GLOBAL ID：201702275198154800
整理番号：17A0475856
テトラセンにおけるフェニル置換:薄膜トランジスタにおける電荷移動度を高めるための有望な戦略【Powered by NICT】
Phenyl substitution in tetracene: a promising strategy to boost charge mobility in thin film transistors
Xu Wenjun
(School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, 518055, China. menghong@pkusz.edu.cn)
,
He Yaowu
,
Murtaza Imran
,
Zhang Dongwei
,
Li Aiyuan
,
Hu Zhao
,
Zeng Xingwei
,
Guo Yitong
,
Zhu Yanan
,
Liu Ming
,
Meng Hong
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5 号： 11 ページ： 2852-2858 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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