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文献
J-GLOBAL ID：201702275287881525
整理番号：17A0826639
ホットエレクトロンによる動的MOSFETの劣化のコンパクトモデリング【Powered by NICT】
Compact Modeling of Dynamic MOSFET Degradation Due to Hot-Electrons
Tanoue H.
(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Tanaka A.
(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Oodate Y.
(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Nakahagi T.
(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Sugiyama D.
(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Ma C.
(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Mattausch H. J.
(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)
,
Miura-Mattausch M.
(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 17 号： 1 ページ： 52-58 発行年： 2017年
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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