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文献
J-GLOBAL ID：201702275297083726
整理番号：17A1221110
数層MoSe2の光学二次高調波強度に及ぼすSiO2/Si(001)基板の酸化物厚みの影響
Influence of the oxide thickness of a SiO2/Si(001) substrate on the optical second harmonic intensity of few-layer MoSe2
MIYAUCHI Yoshihiro
(National Defense Acad. of Japan, Kanagawa, JPN)
,
MORISHITA Ryo
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
TANAKA Masatoshi
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
OHNO Sinya
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
MIZUTANI Goro
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
SUZUKI Takanori
(National Defense Acad. of Japan, Kanagawa, JPN)
,
SUZUKI Takanori
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 8 ページ： 085801.1-085801.4 発行年： 2016年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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