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文献
J-GLOBAL ID：201702275336284274
整理番号：17A0848463
サファイア基板上に成長したSnドープα-Ga2O3薄膜の導電率制御
Conductivity control of Sn-doped α-Ga2O3 thin films grown on sapphire substrates
AKAIWA Kazuaki
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
,
AKAIWA Kazuaki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KANEKO Kentaro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ICHINO Kunio
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
,
FUJITA Shizuo
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 12 ページ： 1202BA.1-1202BA.8 発行年： 2016年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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