文献
J-GLOBAL ID:201702275456559376
整理番号:17A1640749
InPに対するCMOS互換接触【Powered by NICT】
CMOS-Compatible Contacts to n-InP
著者 (10件):
Ghegin Elodie
(STMicroelectronics, Crolles Cedex, France)
,
Rodriguez Philippe
(University Grenoble Alpes, Grenoble, France)
,
Pasquali Mattia
(University Grenoble Alpes, Grenoble, France)
,
Sagnes Isabelle
(Center de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, University Paris-Sud, Universite ́ Paris-Saclay, Marcoussis, France)
,
Labar Janos L.
(MTA EK MFA, Budapest, Hungary)
,
Delaye Vincent
(University Grenoble Alpes, Grenoble, France)
,
Card Tiphaine
(University Grenoble Alpes, Grenoble, France)
,
Da Fonseca Jeremy
(University Grenoble Alpes, Grenoble, France)
,
Jany Christophe
(University Grenoble Alpes, Grenoble, France)
,
Nemouchi Fabrice
(University Grenoble Alpes, Grenoble, France)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
11
ページ:
4408-4414
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)