文献
J-GLOBAL ID:201702275489536025
整理番号:17A0738558
電着支援剥離(EAS)プロセスを用いる単結晶Siの剥離に対するレーザ印刻の効果
Effect of the Laser-Scribing on Spalling of a Single Crystalline Si Using Electrodeposition Assisted Stripping (EAS) Process
著者 (7件):
JEON Jaeho
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
YU Sungkuk
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
YANG Changyol
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
JIN Sanghyun
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
ROH Jiwon
(Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR)
,
JUNG Jaehak
(Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR)
,
YOO Bongyoung
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
16
号:
10
ページ:
10670-10674
発行年:
2016年10月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)