文献
J-GLOBAL ID:201702275634909838
整理番号:17A1220886
パルスレーザ堆積法による(100)Ge基板上の(110)ルチルTiO2薄膜の薄膜成長
Thin-film growth of (110) rutile TiO2 on (100) Ge substrate by pulsed laser deposition
著者 (8件):
SUZUKI Yoshihisa
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
SUZUKI Yoshihisa
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
NAGATA Takahiro
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
NAGATA Takahiro
(JST-PRESTO, Saitama, JPN)
,
YAMASHITA Yoshiyuki
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
NABATAME Toshihide
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
OGURA Atsushi
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
CHIKYOW Toyohiro
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
55
号:
6S1
ページ:
06GG06.1-06GG06.5
発行年:
2016年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)