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文献
J-GLOBAL ID：201702275634909838
整理番号：17A1220886
パルスレーザ堆積法による(100)Ge基板上の(110)ルチルTiO2薄膜の薄膜成長
Thin-film growth of (110) rutile TiO2 on (100) Ge substrate by pulsed laser deposition
SUZUKI Yoshihisa
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
SUZUKI Yoshihisa
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
NAGATA Takahiro
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
NAGATA Takahiro
(JST-PRESTO, Saitama, JPN)
,
YAMASHITA Yoshiyuki
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
NABATAME Toshihide
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
OGURA Atsushi
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
CHIKYOW Toyohiro
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 6S1 ページ： 06GG06.1-06GG06.5 発行年： 2016年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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