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文献
J-GLOBAL ID：201702275692446943
整理番号：17A0214350
選択的レーザアニーリングによるソース/ドレインドーパント回復を用いたV_ov=V_ds=1V,SS=95mV/dec,高I_on/I_off=2×10~6と減少した雑音パワー密度での同時I_on=1235μA/μmの高性能Ge無接合ゲートオールアラウンドNFETs【Powered by NICT】
High performance Ge junctionless gate-all-around NFETs with simultaneous Ion =1235 μA/μm at Vov=Vds=1V, SS=95 mV/dec, high Ion/Ioff=2×106, and reduced noise power density using S/D dopant recovery by selective laser annealing
Wong I-Hsieh
(Graduate Institute of Electronic Engineering)
,
Lu Fang-Liang
(Graduate Institute of Electronic Engineering)
,
Huang Shih-Hsien
(Graduate Institute of Electronic Engineering)
,
Ye Hung-Yu
(Graduate Institute of Electronic Engineering)
,
Lu Chun-Ti
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Yan Jhih-Yang
(Graduate Institute of Electronic Engineering)
,
Shen Yu-Cheng
(Graduate Institute of Electronic Engineering)
,
Peng Yu-Jiun
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Lan Huang-Siang
(Graduate Institute of Electronic Engineering)
,
Liu C. W.
(Graduate Institute of Electronic Engineering)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 33.6.1-33.6.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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