文献
J-GLOBAL ID:201702275727579028
整理番号:17A0757274
将来の超低電力エレクトロニクスのための新しい8-T CNFET SRAMセルの設計【Powered by NICT】
Novel 8-T CNFET SRAM cell design for the future ultra-low power microelectronics
著者 (4件):
Kim YoungBae
(Electrical and Computer Engineering Department, Illinois Institute of Technology, Chicago, USA)
,
Tong Qiang
(Electrical and Computer Engineering Department, Illinois Institute of Technology, Chicago, USA)
,
Choi Ken
(Electrical and Computer Engineering Department, Illinois Institute of Technology, Chicago, USA)
,
Lee Yunsik
(School o Electrical and Computer Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology, Ulsan, Korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
ISOCC
ページ:
243-244
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)