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文献
J-GLOBAL ID：201702275840067689
整理番号：17A1386356
CsPbI_3の電子輸送特性におよぼす静水圧歪の影響【Powered by NICT】
Effect of hydrostatic strain on the electronic transport properties of CsPbI3
Berdiyorov G.R.
(Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Qatar Foundation, Doha, Qatar)
,
Carignano M.A.
(Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Qatar Foundation, Doha, Qatar)
,
Madjet M.E.
(Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University, Qatar Foundation, Doha, Qatar)
資料名：
Computational Materials Science
(Computational Materials Science)
巻： 137 ページ： 314-317 発行年： 2017年
JST資料番号： W0443A ISSN： 0927-0256 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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