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文献
J-GLOBAL ID：201702275928090826
整理番号：17A0915676
異なる成長温度でのマイグレーション・エンハンスト・エピタキシーを用いて成長させたInP/InGaP量子構造の発光特性
Luminescence Properties of InP/InGaP Quantum Structures Grown by Using a Migration-Enhanced Epitaxy at Different Growth Temperatures
CHO Il-Wook
(Kangwon National Univ., Chuncheon, KOR)
,
RYU Mee-Yi
(Kangwon National Univ., Chuncheon, KOR)
,
SONG Jin Dong
(Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名：
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻： 70 号： 8 ページ： 785-790 発行年： 2017年04月28日
JST資料番号： T0357A ISSN： 0374-4884 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 韓国 (KOR) 言語： 英語 (EN)
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