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J-GLOBAL ID：201702276011230926 整理番号：17A0325818

逆ペロブスカイトCH_3NH_3PbI_3太陽電池における正孔輸送層として作用するCuベース第四級カルコゲン化物Cu_2BaSnS_4薄膜【Powered by NICT】

Cu-based quaternary chalcogenide Cu₂BaSnS₄ thin films acting as hole transport layers in inverted perovskite CH₃NH₃PbI₃ solar cells

著者 (3件)：

Ge Jie

(Department of Physics and Astronomy, Wright Center for Photovoltaics Innovation and Commercialization, The University of Toledo, Toledo, Ohio 43606, USA. Jie.Ge@UToledo.Edu Yanfa.Yan@UToledo.Edu)

Grice Corey R.

Yan Yanfa

資料名：

Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)

巻： 5 号： 6 ページ： 2920-2928 発行年： 2017年
JST資料番号： W0204B ISSN： 2050-7488 CODEN： JMCAET 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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