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文献
J-GLOBAL ID：201702276061677208
整理番号：17A0775922
象徴的に定義されたInP二重ヘテロ接合バイポーラトランジスタ大信号モデル【Powered by NICT】
A symbolically defined InP double heterojunction bipolar transistor large-signal model
Cao Yuxiong
(Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences)
,
Jin Zhi
(Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences)
,
Ge Ji
(Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences)
,
Su Yongbo
(Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Xinyu
(Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 30 号： 12 ページ： 37-41 発行年： 2009年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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