文献
J-GLOBAL ID:201702276076656239
整理番号:17A0822263
低温でのAu/In2S3/SnO2/(In-Ga)構造における障壁高さ不均質性の説明/
Interpretation of barrier height inhomogeneities in Au/In2S3/SnO2/(In-Ga) structures at low temperatures
著者 (5件):
TECIMER H.
(Karabuek Univ., Karabuek, TUR)
,
ALTINDAL S.
(Gazi Univ., Ankara, TUR)
,
AKSU S.
(Solo Power, Inc., CA, USA)
,
ATASOY Y.
(Karadeniz Technical Univ., Trabzon, TUR)
,
BACAKSIZ E.
(Karadeniz Technical Univ., Trabzon, TUR)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
10
ページ:
7501-7508
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)