文献
J-GLOBAL ID:201702276148061968
整理番号:17A1358405
130nm SiGe BiCMOS技術における低電力及び低雑音プログラマブル分周器【Powered by NICT】
Low-power and low-noise programmable frequency dividers in a 130 nm SiGe BiCMOS technology
著者 (5件):
Ergintav Arzu
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Herzel Frank
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Borngraeber Johannes
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Ng Herman Jalli
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Kissinger Dietmar
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
NEWCAS
ページ:
105-108
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)