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文献
J-GLOBAL ID：201702276158475654
整理番号：17A1181760
2T構造を持つpチャネルフローティングゲートフラッシュメモリ装置の耐久性劣化と寿命モデル【Powered by NICT】
Endurance degradation and lifetime model of p-channel floating gate flash memory device with 2T structure
Wei Jiaxing
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096 Nanjing, Jiangsu, China)
,
Liu Siyang
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096 Nanjing, Jiangsu, China)
,
Liu Xiaoqiang
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096 Nanjing, Jiangsu, China)
,
Sun Weifeng
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096 Nanjing, Jiangsu, China)
,
Liu Yuwei
(CSMC Technologies Corporation, 214028 Wuxi, Jiangsu, China)
,
Liu Xiaohong
(CSMC Technologies Corporation, 214028 Wuxi, Jiangsu, China)
,
Hou Bo
(Science and Technology on Reliability Physics and Application Technology of Electronic Component Laboratory, 510610 Guangzhou, Guangdong, China)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 134 ページ： 58-64 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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