文献
J-GLOBAL ID:201702276159293714
整理番号:17A0591756
アモルファスInZnSnO/InZnSnO:Er二重チャンネル薄膜トランジスタに対するErドーピングの影響
Effects of Er-Doping on Amorphous InZnSnO/InZnSnO:Er Double-Channel Thin-Film Transistors
著者 (13件):
YANG Ji-Woong
(Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
,
YANG Ji-Woong
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
NA Yun-Been
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
NA Yun-Been
(Univ. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
,
SHIN Jae-Heon
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
HONG Chan-Hwa
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
SEO Woo-Hyung
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
KIM Kyung-Hyun
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
SONG Chang-Woo
(Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
,
SONG Chang-Woo
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
SONG Sang-Hun
(Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
,
KWON Hyuck-In
(Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
,
CHEONG Woo-Seok
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
5
ページ:
3415-3419
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)