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文献
J-GLOBAL ID：201702276220142493
整理番号：17A1501541
非化学量論的SiNx:H薄膜における高速重イオン照射によるSiリッチ窒化相の安定化【Powered by NICT】
Stabilization of Si rich nitride phase by swift heavy ion irradiation in non-stoichiometric a-SiNx:H thin films
Gupta Harsh
(Nanostech Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, 110016, India)
,
Bommali Ravi. K.
(Institute of Physics, Bhubneshwar 751005, India)
,
Ghosh S
(Nanostech Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, 110016, India)
,
Srivastava P
(Nanostech Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, 110016, India)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 410 ページ： 164-170 発行年： 2017年
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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