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文献
J-GLOBAL ID：201702276288593101
整理番号：17A0900382
(002)AlN薄膜のアニーリングプロセスとナノスケール圧電特性の最適化
Optimization of the annealing process and nanoscale piezoelectric properties of (002) AlN thin films
FU Bangran
(Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN)
,
WANG Fang
(Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN)
,
CAO Rongrong
(Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN)
,
HAN Yemei
(Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN)
,
MIAO Yinping
(Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN)
,
FENG Yulin
(Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN)
,
XIAO Fuliang
(Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN)
,
ZHANG Kailiang
(Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28 号： 13 ページ： 9295-9300 発行年： 2017年07月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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