文献
J-GLOBAL ID:201702276355882877
整理番号:17A1350966
部分放電検出を用いた球状空洞を含むシリコーン絶縁の劣化機構の解析【Powered by NICT】
Analysis of degradation mechanisms of silicone insulation containing a spherical cavity using partial discharge detection
著者 (3件):
Tanmaneeprasert T.
(School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, United Kingdom)
,
Lewin P.L.
(School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, United Kingdom)
,
Callender G.
(School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, United Kingdom)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EIC
ページ:
233-236
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)