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文献
J-GLOBAL ID：201702276377588574
整理番号：17A0407191
より長い波長発光のための新しいII型InGaAs/GaAsBi量子井戸【Powered by NICT】
Novel type II InGaAs/GaAsBi quantum well for longer wavelength emission
Yue Li
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China)
,
Song Yuxin
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China)
,
Chen Xiren
(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
,
Chen Xiren
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China)
,
Chen Qimiao
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China)
,
Chen Qimiao
(University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
,
Pan Wenwu
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China)
,
Pan Wenwu
(University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
,
Wu Xiaoyan
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China)
,
Wu Xiaoyan
(University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
,
Liu Juanjuan
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China)
,
Liu Juanjuan
(University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
,
Zhang Liyao
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China)
,
Shao Jun
(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
,
Wang Shumin
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China)
,
Wang Shumin
(Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Gothenburg 41296, Sweden)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695 ページ： 753-759 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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