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文献
J-GLOBAL ID：201702276562586448
整理番号：17A1391409
6インチシリコンオンインシュレータ基板上のin situ SiN_xゲート誘電体AlGaN/GaN MISHEMTのRF性能【Powered by NICT】
RF Performance of In Situ SiNx Gate Dielectric AlGaN/GaN MISHEMT on 6-in Silicon-on-Insulator Substrate
Chiu Hsien-Chin
(Department of Electronic Engineering, Department of Radiation Oncology, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan)
,
Wang Hou-Yu
(Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan)
,
Peng Li-Yi
(Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan)
,
Wang Hsiang-Chun
(Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan)
,
Kao Hsuan-Ling
(Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan)
,
Hu Chih-Wei
(Episil-Precision Inc., Hsinchu, Taiwan)
,
Xuan Rong
(Episil-Precision Inc., Hsinchu, Taiwan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 10 ページ： 4065-4070 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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