文献
J-GLOBAL ID:201702276704154000
整理番号:17A0937471
GaAs単結晶における欠陥誘起巨大誘電挙動【Powered by NICT】
Point-defect-induced colossal dielectric behavior in GaAs single crystals
著者 (10件):
Zhu M.
(Laboratory of Dielectric Functional Materials, School of Physics & Material Science, Anhui University, Hefei 230601, China. liqj@mail.ustc.edu.cn ccwang@ahu.edu.cn)
,
Zhang N.
,
Wang H.
,
Li Y. D.
,
Huang S. G.
,
Li Q. J.
,
Yu Y.
,
Guo Y. M.
,
Liu X. L.
,
Wang C. C.
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
42
ページ:
26130-26135
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)