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文献
J-GLOBAL ID：201702276747494894
整理番号：17A0314051
ab initio法を用いた半ホイスラー合金の構造的,電子的および磁気的性質FeVX(X=Si, Ge, Sn)のスピン分極計算【Powered by NICT】
Spin-polarized calculations of structural, electronic and magnetic properties of Half Heusler alloys FeVX (X=Si, Ge, Sn) using Ab-initio method
Sattar M. Atif
(Department of Physics Simulation Lab, The Islamia University of Bahawalpur, 63100, Pakistan)
,
Rashid Muhammad
(Department of Physics, COMSATS Institute of Information Technology, 44000 Islamabad, Pakistan)
,
Hashmi M. Raza
(Department of Physics Simulation Lab, The Islamia University of Bahawalpur, 63100, Pakistan)
,
Rasool M. Nasir
(Department of Physics Simulation Lab, The Islamia University of Bahawalpur, 63100, Pakistan)
,
Mahmood Asif
(College of Engineering, Chemical Engineering Department, King Saud University, Riyadh, Saudi Arabia)
,
Ahmad S.A.
(Department of Physics Simulation Lab, The Islamia University of Bahawalpur, 63100, Pakistan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 51 ページ： 48-54 発行年： 2016年08月15日
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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